Catálogo Actividad Investigación

Grupo de Caracterización de Materiales y Dispositivos Electrónicos
  • Empresas del sector fotovoltaico

  • Empresas de fabricación de circuitos integrados

  • Empresas de fabricación de memorias de estado sólido
  • Estudio de nuevos materiales para la fabricación de circuitos integrados.

    Caracterización mediante técnicas originales del grupo de investigación de los materiales denominados “dieléctricos de alta permitividad”. Estos novedosos materiales se comportan como aislantes adecuados para la fabricación de los circuitos integrados, mejorando sus prestaciones y disminuyendo su tamaño. Contribuirán, por tanto, a la obtención de dispositivos y sistemas electrónicos más rápidos, pequeños y ligeros.
    Investigadora principal: Helena Castán Lanaspa


  • Estudio de nuevos materiales para la realización de memorias.

    Estudio del fenómeno denominado “conmutación resistiva”, que exhiben determinados materiales y consiste en que mediante una señal eléctrica externa se les puede hacer pasar de un estado de elevada corriente (conducción) a un estado de muy baja corriente (corte), creando o eliminando filamentos iónicos entre dos electrodos. Estos materiales podrán utilizarse para la realización de una nueva generación de memorias.
    Investigadora principal: Helena Castán Lanaspa


  • Estudio para la mejora de la eficiencia de células solares.

    Existe una correlación entre la existencia de defectos microscópicos en los sustratos de las células solares y los máximos niveles de eficiencia (relación entre la corriente obtenida y la luz absorbida) que se consiguen. El análisis detallado de los defectos existentes en los sustratos de células solares correspondientes a diferentes tecnologías nos permite realizar mapas de eficiencia y proponer mejoras tecnológicas para las futuras generaciones de dispositivos fotovoltaicos.
    Investigadora principal: Helena Castán Lanaspa
  • "CARACTERIZACIÓN ELÉCTRICA DE ESTRUCTURAS MIS Y MIM CON DIELECTRICOS DE ALTA PERMITIVIDAD PARA SU APLICACIÓN EN RRAMS Y MEMRESISTORS" (2015 - 2017), proyecto financiado por la Dirección General de Investigación Científica y Técnica del Ministerio de Economía y Competitividad. Investigadora principal: Helena Castán Lanaspa.

  • ‘Fabricación y caracterización de capas de dieléctricos de alta permitividad depositadas por ALD sobre silicio y sobre grafeno’ (2012-2015), proyecto financiado por el Ministerio de Ciencia e Innovación. Investigadora principal: Helena Castán Lanaspa

  • ‘Cualificación de sustratos de silicio multicristalino para células solares’ (2011-2013), proyecto financiado por la Consejería de Educación de la Junta de Castilla y León. IP: Helena Castán Lanaspa

  • ‘Caracterización Eléctrica de Dieléctricos de Alta Permitividad depositados por ALD’ (2009-2011), proyecto financiado por el Ministerio de Ciencia e Innovación. IP: Salvador Dueñas Carazo (UVa)


  • Publicaciones:

    -"Electrical characterization of amorphous silicon based MIS structures for photovoltaic applications" (H. García, H. Castán, S. Dueñas, L. Bailón, R. García-Hernansanz, J. Olea, A. del Prado, and I. Mártil), en Nanoscale Research Letters 11:335 (2016)

    - "Electrical properties and nanoresistive switching of Ni-HfO2-Si capacitors" (H. García, M. B. González, C. Vaca, H. Castán, S. Dueñas, F. Campabadal, E. Miranda, and L. Bailón), en ECS Transactions 72 (2016)

    - "A complete suite of experimental techniques for electrical characterization of conventional and incoming high-k dielectric-based devices" (S. Dueñas, H. Castán, H. García, S. Dueñas, T. Arroval, A. Tamm, K. Kukli, and J. Aarik), en ECS Transactions 72 (2016)

    - "Study from cryogenic to high temperatures of the high and low resistance state currents of ReRAM Ni-HfO2-Si capacitors" (C. Vaca, M. B. González, H. Castán, H. García, S. Dueñas, F. Campabadal, E. Miranda, L. Bailón), en IEEE Transactions on Electron Devices 63 (2016).

    - "A detailed analysis of the energy levels configuration existing in the band gap of supersaturated silicon with titanium for photovoltaic applications" (E. Pérez, S. Dueñas, H. Castán, H. García, L. Bailón, D. Montero, R. García-Hernansanz, E. García-Hemme, J. Olea, and G. González-Díaz), en Journal of Applied Physics 118 (2015)

    - "Atomic layer deposition and characterization of dysprosium doped zirconium oxide thin films" (A. Tamm, J. Kozlova, T. Arroval, L. Aarik, P. Ritslaid, H. García, H. Castán, S. Dueñas, K. Kukli, and J. Aarik), en Chemical Vapor Deposition 21 (2015)

    - Conduction and stability of holmium titanium oxide thin films grown by atomic layer deposition (H. Castán, H. García, S. Dueñas, L. Bailón, E. Miranda, K. Kukli, M. Kemell, M. Ritala, and M. Leskelä), en Thin Solid Films 591 (2015)

    - "Scavenging effect on plasma oxidized Gd2O3 grown by high pressure sputtering on Si and InP substrates (A. Pampillón, P. Feijoo, E. San Andrés, H. García, H. Castán, and S. Dueñas), en Semiconductor Science and Technology 30 (2015)

    - "Characterization of deep level defects present in mono-like, quasi-mono and multicrystalline silicon solar substrates" (E. Pérez, H. García, H. Castán, and S. Dueñas), en Semiconductor Science and Technology 30 (2015)

    - "Energy levels distribution in supersaturated silicon with titanium for photovoltaic applications" (E. Pérez, H. Castán, H. García, S. Dueñas, L. Bailón, D. Montero, R. García-Hernansanz, E. García-Hemme, J. Olea, and G. González-Díaz), enApplied Physics Letters, 106 (2015)

  • Instituto de Microelectrónica de Barcelona - Centro Nacional de Microelectrónica – CSIC

  • Universidad de Helsinki (Finlandia)

  • Centro Finlandés de Excelencia en ‘Deposición de capas atómicas (ALD)’

  • Universidad de Tartu (Estonia)

  • Universidad Complutense de Madrid

  • Universidad Autónoma de Barcelona

  • Universidad de Granada
  • 'Sistema de Energía Solar'
    Inventores/autores/obtentores: Salvador Dueñas; Cipriano Bote Mateo
    Entidad titular: Universidad de Valladolid
    País de prioridad: España
    Fecha: 2011

  • 'Anodized Ta2O5 MOS gate dielectric'
    Inventores/autores/obtentores: P.A.Sullivan; R.R.Kola; Salvador Dueñas
    Entidad titular: Lucent Technologies, Bell Laboratories
    País de prioridad: Estados Unidos de América
    Fecha: 1998

  • 'Process for fabricating a thin film capacitor'
    Inventores/autores/obtentores: Salvador Dueñas; R.R.Kola; H.Kumagai; M.Y.Lau; P.A.Sullivan and K.Tai
    Entidad titular: Lucent Technologies, Bell Laboratories
    País de prioridad: Estados Unidos de América
    Fecha: 1998
  • Mesa de puntas Cascade Microtech junto con microscopio Leica

  • Equipo de wire-bonding tpt HB05 junto con microscopio Leica

  • Tres criostatos de nitrógeno líquido Oxford Instruments junto con controladores de temperatura Oxford Instruments ITC502 e ITC503

  • Sistema de caracterización de semiconductores Keithley 4200-SC

  • Analizadores de impedancia Agilent 4294A (40 Hz -11 MHz) y Agilent 4287A (1 MHz - 3 GHz)

  • Analizador de parámetros en continua de semiconductores HP 4155B

  • Capacímetros a 1 MHz Boonton 72 B (Analógico) y HP 4280A (Digital)

  • Amplificadores Lock-In Stanford Research Systems SR844 y EG&G 5210

  • Osciloscopios digitales Tektronix TDS5052, HP 54615B y HP54501A

  • Generadores de señal Agilent 33500B y HP 33120A

  • Generadores de pulsos HP 81104A y HP 8112A

  • Electrómetros programables Keithley 6517A y Keithley 617

  • Analizador lógico HP 54620A

  • Baño térmico